Халькогенідні склоподібні напівпровідники (хсн) з моменту їх відкриття в середині минулого століття стали об’єктом багатьох до



Скачати 172.4 Kb.
Дата конвертації26.12.2017
Розмір172.4 Kb.


Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України
Волинський національний університет імені Лесі Українки

ВПЛИВ ДОМІШОК (HgX, Ga2X3, Er2X3, X=S, Se) НА СТРУКТУРУ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СТЕКОЛ НА БАЗІ GeX2

(цикл наукових праць на здобуття щорічної премії


Президента України для молодих вчених)



КЕВШИН Андрій Григорович

старший викладач кафедри фізики та методики викладання фізики Волинського національного університету імені Лесі Українки

реферат


Луцьк – 2012
Актуальність дослідження. Прогрес досягнутий в останні десятиліття в лазерній техніці і оптоелектроніці висуває в пріоритетні напрямки задачу одержання і дослідженням халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН), активованих рідкоземельними елементами (РЗЕ) – неодимом, празеодимом, ербієм, ербієм/ітербієм і т.д. Широке дослідження люмінесценції ербійвмісних ХСН викликане тим, що довжина хвилі найбільш інтенсивного максимуму фотолюмінесценції (ФЛ) іона Er3+ (1,54 мкм) попадає в мінімум поглинання найбільш широко використовуваного кварцового оптичного волокна. Інтерес до цих матеріалів викликаний також простим і дешевим способом введення ербію, порівняно слабким температурним гашенням ербієвої люмінесценції і відсутністю в їх коливальному спектрі високоенергетичних фононів. Однак, не дивлячись на значні успіхи в цій області, поки що не досягнуті результати, які давали б можливість стверджувати, що етап пошукових досліджень завершений. До нерозв’язаних відносяться такі принципові питання, як формування оптимального лігандного оточення іона ербію, що підвищує його оптичну активність в склі, підвищення густини введених іонів для одержання оптичного підсилення, оптимізація механізму передачі збудження від напівпровідникової матриці скла до іона ербію, зниження оптичних втрат, в тому числі обумовлених температурним гашенням і ін. Саме цим актуальним проблемам присвячений цикл наукових праць „Вплив домішок (HgX, Ga2X3, Er2X3, X=S, Se) на структуру та оптичні властивості халькогенідних стекол на базі GeX2.

Мета роботи. Метою роботи було встановлення особливостей оптичних властивостей в залежності від атомної структури і природи хімічних елементів деяких малодосліджених халькогенідних склоподібних сплавів легованих та нелегованих іонами Er3+.

Наукова новизна роботи визначається сукупністю одержаних результатів Основними із них є такі:

1. За результатами рентгенографічних досліджень розраховано радіальні функції розподілу атомної густини та структурний фактор склоподібних сплавів HgX-GeX2 (X – S, Se). Встановлено, що при введенні модифікатора HgX відбувається розрихлення склоутворюючої матриці, створеної на базі тетраедрів GeX4/2. При великих вмістах модифікатора HgS формується мікронеоднорідна структура елементами якої є аморфна матриця і включення на базі кристалічної сполуки Hg4GeS6.

2. Для квазітетрарної системи AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2 вперше визначено міжатомні відстані в межах першої та другої координаційної сфер, які збільшуються при збільшенні вмісту селену. Встановлено, що домінуючими структурними групами в склоподібному сплаві є тетраедри GeS4. Введення атомів Se призводить до розрихлення структури, сформованої на основі тетраедрів GeS4, послаблення взаємодій Ge–S та посилення взаємозв’язків Ge–Se.

3. Для квазібінарної системи сплавів HgS GeS2 визначено питому електропровідність в залежності від компонентного складу. Встановлено механізм перенесення заряду, що базується на стрибковій провідності. За даними спектрального розподілу коефіцієнта поглинання оцінено ширину енергетичної щілини Eg, яка зменшується при збільшенні вмісту модифікатора HgS.

4. Досліджена залежність оптичних властивостей склоподібних сплавів системи HgS Ga2S3 GeS2 від вмісту модифікатора (HgS). За результатами спектрів оптичного поглинання оцінено ширину енергетичної щілини стекол та параметр , який входить у формулу Урбаха і визначає степінь розупорядкування матеріалу. Встановлено, що найбільш впорядкованими є сплави з вмістом ~25-40 мол.% (HgS+Ga2S3), що пояснюється змінами ближнього порядку в розміщенні атомів, які входять в склад сплавів.

5. В склоподібних ербійвмісних сплавах системи Er2Se3 Ga2Se3 GeSe2 досліджено спектральний розподіл фотолюмінесценції (ФЛ) і поглинання. При цьому були виявлені максимуми поглинання і ФЛ в області довжин хвиль, які добре узгоджуються з електронними переходами в 4f оболонці іона Er3+. Показано, що при великих концентраціях атомів Er в склі утворюються кластери дефектів з лінійними розмірами 10-15 мкм.

6. В стеклах системи Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3 досліджені спектри фотолюмінесценції, які збуджувались світлом з довжиною хвилі 980 і 532 нм. Були встановлені внутріцентрові електронні переходи в іонах Er3+, які відповідальні за люмінесценцію. Показано, що із збільшенням вмісту атомів Er в склоподібних сплавах збільшується кількість крупних структурних дефектів з лінійними розмірами ~6-7 мкм. Приводиться несуперечлива фізична модель, яка пояснює вплив скупчення дефектів на параметри максимумів ФЛ.

7. Ербійвмісні сульфідні стекла Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3 при збудженні світлом з=980 нм добре проявляють антистоксівську люмінесценцію. Встановлені електронні переходи в 4f-оболонці Er3+, які відповідальні за люмінесценцію.



Практичне значення отриманих результатів.

  1. Завдяки високій оптичній прозорості і широких вікон пропускання світла досліджувані склоподібні сплави HgS GeS2, HgS Ga2S3 GeS2 можуть знайти практичне використання в якості середовищ прозорих в ІЧ області спектру в термографії, лазерній техніці, при виготовлені оптичних елементів для приладів нічного бачення.

  2. На основі склоподібних ербійвмісних сплавів Er2Se3 Ga2Se3 GeSe2 та Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3, які люмінесціюють в інфрачервоній області спектру можуть бути створені нові лазерні середовища, підсилювачі для волоконно-оптичних ліній зв’язку, люмінесцентні екрани з підвищеною радіаційною стійкістю.

  3. Завдяки виявленій вперше в сульфідних стеклах Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3 антистоксівської люмінесценції, дані матеріали можуть бути використані в якості візуалізаторів ІЧ-випромінювання в люмінофорах, для створення ефективних джерел видимого світла при збудженні ІЧ-випромінюванням.

Структура циклу

Цикл наукових праць Вплив домішок (HgX, Ga2X3, Er2X3, X=S, Se) на структуру та оптичні властивості халькогенідних стекол на базі GeX2 виконувався протягом 2005-2010 років і складається з 17 статей, зокрема 5 у закордонних журналах та 1 у вітчизняному з ненульовим імпакт-фактором, що є в базі даних SCOPUS (у цілому посилань 79). Загальний ідентифікатор SJR (SCImago Journal Rank), розрахований для „Физика и техника полупроводников” („Semiconductors”) становив у 2008 – 0,048 (опублікована 1 стаття автора), 2009 – 0,046 (1 стаття), 2010 – 0,041 (1 стаття), для журналу „Physika Status Solidi (c)” SJR становив у 2009 – 0,059 (1 стаття), для журналу „Физика и химия стекла” („Glass Physics and Chemistry”) SJR становив у 2010 році – 0,034 (1 стаття), для журналу „Український фізичний журнал” („Ukrainian Journal of Physics”) SJR становив у 2010 році – 0,030 (1 стаття). Крім того, матеріали циклу були представлені на 11 вітчизняних та 3 закордонних наукових конференціях і опубліковані у 14 тезах доповідей.


ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обґрунтована актуальність роботи, визначена мета і основні завдання, її наукова новизна та практичне значення отриманих результатів.

Перший розділ містить опис загальних загальних особливостей структури та оптичних властивостей халькогенідних склоподібних напівпровідників. Розглядається структура деяких представників цього класу матеріалів, аналізуються особливості формування енергетичних зон в аморфних і склоподібних напівпровідниках та їх вплив на спектри поглинання, люмінесценції, описуються люмінесцентні властивості халькогенідних стекол легованих іонами рідкоземельних елементів.

Другий розділ роботи присвячений аналізу технічних характеристик обладнання, на якому проведена експериментальна частина роботи і методиці вимірювання параметрів зразків.

Третій розділ присвячено експериментальним результатам дифракційних досліджень структури халькогенідних стекол на базі GeX2 (X – S, Se). Зокрема було досліджено сплави систем HgS(x) GeS2(100 x) (х – визначає мол.% HgS) та AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2. На основі кривих інтенсивностей розсіюваних рентгенівських променів за допомогою інтегрального перетворення Фур’є розраховано функцію радіального розподілу G(r) атомної густини:

(1)

За положенням максимумів G(r) проводилась оцінка основних структурних параметрів – віддалей до найближчих атомів.



В четвертому розділі представлені результати дослідження оптичних властивостей одержаних на базі дисульфіду германію халькогенідних стекол. Показано, що для стекол HgS Ga2S3 GeS2 в області короткохвильової межі поглинання світла залежність α(hν) добре описується правилом Урбаха характерним для дефектних напівпровідників і невпорядкованих систем:

, (2)

де  – характеристична енергія.

Дослідження спектрів оптичного поглинання стекол системи AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2 в спектральному діапазоні 400-1000 нм при кімнатній і азотній температурах показало, що в області власного поглинання світла залежності коефіцієнтів поглинання  від енергії квантів є експоненційними, тобто описуються правилом Урбаха. Крім того, дані сплави при низьких температурах (Т≈80 К) при збуджені світлом із області власних оптичних переходів (зб=532 нм) проявляють низькотемпературну люмінесценцію з єдиним в інфрачервоній частині спектра (м≈1150-1180 нм) розмитим максимумом, якому відповідають рекомбінаційні переходи електронів з зони провідності на локалізовані дефектні стани біля середини забороненої зони, що добре узгоджується з моделлю Девіса і Мотта про існування дефектної зони біля середини Eg невпорядкованих систем.

П
Рис. 1. Спектри фотолюмінесценції склоподібних сплавів системи (X) (Er2Se3)   (100 X) (20 мол.% Ga2Se3   80 мол.% GeSe2) при Т292 К.

’ятий розділ
присвячений дослідженню оптичних властивостей деяких халькогенідних стекол легованих іонами Er3+. Зокрема, в склоподібних сплавах (X) (Er2Se3)   (100 X) (20 мол.% Ga2Se3   80 мол.% GeSe2) виявлено смуги поглинання в області довжин хвиль: 805, 980, (1506-1528) нм, які добре узгоджуються з електронними переходами в незаповненій 4f оболонці іона Er3+. Встановлено існування у всіх ербійвмісних стеклах люмінесценції в області (~1450-1650 нм) з максимумом м=1530 нм, яка найбільш ефективно збуджується світлом з =980 нм. При великих концентраціях атомів Er (X>1) в склі утворюються неоднорідності (кластери) з лінійними розмірами (10-15) мкм., які за рахунок кооперативної ап-конверсії або крос-релаксаційного гашення ведуть до зменшення квантового виходу внутріцентрової люмінесценції.

Ф


Рис. 2. Спектральний розподіл інтенсивності антистоксової фотолюмінесценції стекол Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2 Er2S3 з концентрацією легуючої домішки 0,27 ат.% Er при Т≈292 К. Довжина хвилі збудження з≈980 нм.


орма спектрів фотолюмінесценції склоподібних сплавів Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2 не залежить від довжини і потужності хвилі збуджуючого світла (980 та 532 нм). В обох випадках виникає випромінювання зв’язане з переходом 4I15/24I11/2 всередині 4f-оболонки іона Er3+. Використовуючи розклад кривих спектрів ФЛ на гаусові складові (рис. 1), були ідентифіковані основні максимуми випромінювання ФЛ іонів ербію. Вважаю, що вузька смуга, яка знаходиться в околі 1539 нм обумовлена прямим збудженням іонів Er3+, які розміщені в матриці стекла далеко від неоднорідностей, три інші широкі смуги відповідальні за випромінювання іонів ербію, що знаходяться в області крупних структурних дефектів.

У халькогенідних сульфідних стеклах Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3 при збудженні світлом з з=980 нм спостерігається добре ідентифікована антистоксівська люмінесценція (рис. 2). Збудження іона Er3+ в стан 4F7/2 (перехід з якого на нижчі стани веде до появи антистоксівської люмінесценції), відбувається шляхом передачі енергії центру (Er3+) від двох джерел: за рахунок кванта світла з з=980 нм (перехід 4I15/24I11/2) і від іншого збудженого центра (перехід 4I11/24F7/2). На користь вказаного механізму свідчить лінійне зростання інтенсивності ліній антистоксівської люмінесценції при збільшенні потужності збудження. Встановлена схема електронних переходів в 4f оболонці іонів Er3+, які входять в матрицю досліджуваних нами халькогенідних стекол.



Нами було показано, що в сильно дефектних халькогенідних монокристалічних напівпровідниках групи AIIBVI, до яких відноситься CdS опромінений швидкими реакторними нейтронами (Ф>1018 см-2), проявляються властивості, характерні для склоподібних і аморфних сполук. Перш за все це відноситься до фундаментальних переходів на краю смуги власного поглинання світла (КП), який описується правилом Урбаха. Однак, незважаючи на різну природу порушення періодичності потенціальної енергії електрона в дефектних кристалічних тілах і стеклах, характер оптичних електронних переходів в області КП однаковий, про що свідчить виконання правила Урбаха для цих двох систем. Але при цьому в склоподібних речовинах параметр , який визначає розмиття і нахил КП не залежить від температури, тоді як в дефектних кристалах він зростає із збільшенням температури. Таке зростання обумовлене додатковою іонізацією дефектних центрів і, відповідно, зміною величини випадкового електричного поля і пов’язаного з ним потенціалу в дефектних кристалічних напівпровідниках.
ОСНОВНІ ВИСНОВКИ

  1. На основі експериментальних кривих інтенсивностей розсіювання рентгенівських променів за допомогою інтегрального перетворення Фур’є розраховано функції радіального розподілу G(r) атомної густини в стеклах дисульфіду германію GeS2, модифікованих добавками важких металів HgS. Показано, що основними структурними елементами склоподібних сплавів HgSх GeS2(100-х) (х<50 мол.% HgS) є тетраедри GeS4/2. Визначено відстані між атомами Ge-S і S-S в стеклах, які виявилися рівними 2,22 і 3,24 Å відповідно. Встановлено розрихляючу дію модифікатора HgS. Показано, що в аморфній матриці сплаву HgS(50) GeS2(50) дисперговані неоднорідності на основі потрійної сполуки Hg4GeS6.

  2. Основними структурними елементами склоподібних сплавів з важкими металами HgSeх GeSe2(100-х) (х50 мол.% HgSe) при максимальній кількості модифікатора (х=50) є мікрообласті потрійної сполуки Hg2GeSe4. На основі дослідження малокутового розсіювання рентгенівських променів було визначено розмірність нановключень, які присутні в сплаві.

  3. За допомогою дифракції рентгенівських променів досліджена структура склоподібних сплавів квазітетрарної системи AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2 в залежності від співвідношення вмісту Se і S, при незмінному вмістові атомів Ag, Ga, Ge. На основі розрахованих функцій G(r) визначені міжатомні відстані в межах першої та другої координаційних сфер. Показано, що домінуючими структурними групами в сплаві AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2 є тетраедри GeS4. Збільшення вмісту Se веде до розрихлення структури, послаблення взаємодії між Ge-S і посилення взаємозв’язків Ge-Se.

  4. В халькогенідних склоподібних сплавах системи HgS Ga2S3 GeS2 край смуги власного поглинання, як і в інших невпорядкованих системах добре описується правилом Урбаха. На основі аналізу КП була оцінена ширина енергетичної щілини Eg в залежності від компонентного складу досліджуваної системи і вмісту модифікатора. Помітні зміни Eg спостерігались при вмістові модифікаторів HgS і Ga2S3 більшому ~20 мол.%. З аналізу оптичних властивостей всіх досліджених склоподібних сплавів системи HgS Ga2S3 GeS2 показано, що в області концентрацій модифікаторів ~25-40 мол.% (HgS+Ga2S3) мають місце найбільш впорядковані сплави з найменшим значенням ∆≈0,10-0,14 еВ, що характеризує статичний безпорядок системи. При цьому ж складові стекол спостерігається найменше поглинання в домішковій області, яка відповідає вікну пропускання світла стеклами.

  5. Для сплавів системи AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2 при заміні S на Se відбувається поступове зменшення ширини енергетичної щілини. Зразки даної системи при збуджені світлом із області власних переходів проявляють низькотемпературну люмінесценцію (Т80 К) з єдиним в інфрачервоній частині спектра (м≈1150-1180 нм) розмитим максимумом, який обумовлений рекомбінаційними переходами електронів на локалізовані дефектні стани біля середини забороненої зони, що добре узгоджується з моделлю Девіса і Мотта про існування дефектної зони біля середини Eg невпорядкованих систем.

  6. В склоподібних ербійвмісних сплавах (X) (Er2Se3)   (100 X) (20 мол.% Ga2Se3   80 мол.% GeSe2) встановлені характерні електронні переходи у частковозаповненій внутрішній 4f- оболонці іона Er3+, відповідальні за максимуми поглинання світла: 805 нм (4I15/24I9/2), 980 нм (4I15/24I11/2), 1506-1528 нм (4I15/24I13/2), розщепленого локальним електричним полем матриці скла і максимум люмінесценції 1530 нм (4I13/24I15/2). Відсутність антистоксової люмінесценції з м≈540 нм (4S3/24I15/2) пояснюється попаданням збудженого стану Er3+ (4F7/2) в зону провідності матриці скла.

  7. В стеклах з великим вмістом ербію, який наближається до межі розчинності (x>0,5 мол.% Er2Se3) виникає скупчення атомів Er з лінійними розмірами ~10-15 мкм, які за рахунок кооперативної ап-конверсії або крос-релаксаційного гашення ведуть до зменшення квантового виходу внутріцентрової люмінесценції.

  8. Досліджені активовані Er спектри фотолюмінесценції склоподібних сплавів Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2 з найбільш широкими вікнами пропускання світла в порівнянні із іншими стеклами цієї ж системи. Використовуючи розклад кривих спектрів ФЛ на гаусові складові, були ідентифіковані основні максимуми випромінювання ФЛ іонів Er3+. Виявлено вплив неоднорідностей матриці скла на положення, інтенсивність і напівширину максимумів люмінесценції.

  9. Показано, що для одержання антистоксівської люмінесценції необхідні ербійвмісні халькогенідні стекла з шириною енергетичної щілини матриці скла більшою ~2,5 еВ. При цьому енергетичний рівень іона Er3+ 4F7/2, що відповідає переходам, які зв’язані з антистоксівською люмінесценцією знаходиться в забороненій зоні скла. Такому критерію відповідають сульфідні стекла Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3. Встановлено характер переходів, зв’язаних з антистоксівською люмінесценцією.

  10. Незважаючи на різну природу порушення періодичності потенціальної енергії електрона в дефектних кристалічних тілах і стеклах, характер оптичних електронних переходів в області власного поглинання світла однаковий, про що свідчить виконання правила Урбаха для цих двох систем. Але при цьому в склоподібних речовинах параметр , який визначає розмиття і нахил КП не залежить від температури, тоді як в дефектних кристалах він зростає із збільшенням температури на ~710-5 еВ/К на кожен градус (для CdS опроміненого нейтронами дозою 31018 см2). Таке зростання обумовлене додатковою іонізацією дефектних центрів і, відповідно, зміною величини випадкового електричного поля і пов’язаного з ним потенціалу в дефектних кристалічних напівпровідниках.


ЗАГАЛЬНА КІЛЬКІСТЬ ПУБЛІКАЦІЙ (ЗА ТЕМОЮ РОБОТИ)

1. Особливості оптичного поглинання та електропровідності склоподібних сплавів HgS–GeS2 / В. В Галян, О. В. Парасюк, А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, А. А. Федонюк, І. І. Мазурець, В. І. Пехньо // Наук. вісн. Волин. держ. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз.-мат. науки. – 2005. – № 7. – С. 25–29.

2. Одержання і дослідження фізичних властивостей монокристалічних сполук Cu2CdGeS4 і Cu2CdSnS4 / Г. Є. Давидюк, І. Д. Олексеюк, О. В. Парасюк, Л. В. Піскач, С. А. Семенюк, А. Г. Кевшин, В. І. Пехньо // Наук. вісн. Волин. держ. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз.-мат. науки. – 2005. – № 1. – С. 25–29.

3. The structure of glassy HgS–GeS2 / V. V. Halyan, H. Ye. Davydyuk, O. V. Parasyuk, A. H. Kevshyn // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. – 2005. – Vol. 8, № 4. – P. 35–37.

4. Нанорозмірні неоднорідності в склоподібних сплавах HgX-GeX2 (X – S, Se) / А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, В. В. Галян, Ю. Когут, І. І. Петрусь // Наук. вісн. Волин. держ. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки. – 2006. – № 4. – С. 201–204.

5. Залежність структури склоподібних сплавів AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2 від співвідношення вмісту S і Se при незмінному процентному складі всіх інших елементів сплаву / В. В. Галян, М. Шевчук, Г. Є. Давидюк, І. Д. Олексеюк, А. Г. Кевшин, С. В. Воронюк // Наук. вісн. Волин. держ. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки. – 2007. – № 6. – С. 8–13.

6. Утворення дефектних комплексів і їх відпал у нейтронно опромінених спеціально нелегованих Cu монокристалах CdS / Г. Є. Давидюк, В. В. Божко, М. С. Богданюк, Г. Л. Мирончук, Л. В. Булатецька, А. Г. Кевшин // Наук. вісн. Волин. держ. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки. – 2007. – № 16. – С. 57–62.

7. Особенности оптических и фотоэлектрических свойств специально нелегированных и легированных Cu монокристаллов CdS / Г. Е. Давидюк, В. В. Божко, Г. Л. Мирончук, Л. В. Булатецкая, А. Г. Кевшин // Физика и техника полупроводников. – 2008. – T. 42, № 4. – С. 399 – 403.

8. Роль ефектів структурного розупорядкування монокристалів CdS, викликаних нейтронною радіацією / Г. Є. Давидюк, В. В. Галян, А. Г. Кевшин, В. С. Манжара, В. Кажукаускас // Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки. – 2008. – № 9. – С. 19–28.

9. Вплив модифікаторів (HgS, Ga2S3) на оптичні властивості GeS2 / А. Г. Кевшин, В. В. Галян, Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, І. І. Мазурець // Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки. – 2008. – № 18. – С. 26–32.

10. Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов / Г. Е. Давидюк, А. Г. Кевшин, В. В. Божко, В. В. Галян // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, № 11. – С. 1441–1446.

11. Спектры поглощения и излучения стеклообразных сплавов (Er2Se3)X (20 мол. % Ga2Se3 80 мол. % GeSe2)(100 x)(0,1 мол. %≤X≤2,0 мол.) / Г. Е. Давидюк, А. Г. Кевшин, В. В. Галян, О. В. Парасюк, Ю. Н. Когут // Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. Фіз. науки. – 2009. – № 18. – С. 25–33.

12. Photoluminescence in Er-doped AgGaS2–GeS2 glasses / V. V. Halyan, A. H. Kevshyn, Yu. M. Kogut, G. Ye. Davydyuk, M. V. Shevchuk, V. Kažukauskas, A. Ziminskij // Phys. Status Solidi (c). – 2009. – Vol. 6. – P. 2810–2813.

13. Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe2+GeS2AgGaS2+GeSe2 system / V. V. Halyan, M. V. Shevchuk, G. Ye. Davydyuk, S. V. Voronyuk, A. H. Kevshyn, V. V. Bulatetsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. – 2009. – Vol. 12, № 2. – P. 138–142.

14. Концентрационная зависимость оптических свойств стеклообразных сплавов системы HgS Ga2S3 GeS2 / А. Г. Кевшин, В. В. Галян, Г. Е. Давидюк, О. В. Парасюк, И. И. Мазурец // Физика и химия стекла. – 2010. – Т. 36, № 1. – С. 37–43.

15. Оптичне поглинання і фотолюмінісценція склоподібних сплавів системи Er2Se3-Ga2Se3-GeSe2 / Г. Є. Давидюк, В. В. Галян, О. В. Парасюк, А. Г. Кевшин, Ю. Когут // Фізика і хімія твердого тіла. – 2010. – Т. 11, № 1. – С. 68–71.

16. Влияние дефектов, образованных быстрыми реакторными нейтронами, на экситонные спектры люминесценции монокристаллов сульфида кадмия / Г. Е. Давидюк, Н. С. Богданюк, В. В. Божко, А. Г. Кевшин, В. С. Манжара, В. Кажукаускас // Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т. 44, № 9. – С. 1189–1193.

17. Вплив вмісту Er на ширину смуги фотолюмінісценції в стеклах Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3 / В. В. Галян, А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, М. В. Шевчук, С. В. Воронюк // Укр. фіз. журн. – 2010. – Т. 55, № 12. – С. 1278–1282.

18. Вплив Cu2Se на оптичні та електрофізичні властивості склоподібних сплавів HgSe – GeSe2 / А. Г. Кевшин, О. М. Марчук, В. В. Галян, Г. Е. Давидюк, Н. А. Головіна, А. А. Федонюк // Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали РНАОПМ′2006 : матеріали ІІІ Міжнар. конф., 6-10 верес. 2006 р., м. Луцьк – Шацькі озера, Україна. – Луцьк : РВВ „Вежа” Волин. держ. ун-ту ім. Лесі Українки, 2006. – С. 121.

19. Рентгеноструктурный анализ стеклообразных сплавов системы GeS2-AgGaS2-AgGaSe2-GeSe2 / В. В. Галян, Г. Е. Давидюк, Н. В. Шевчук, А. Г. Кевшин, Ю. Когут // Аморфные и микрокристаллические полупроводники : V Междунар. конф., 19-21 июня 2006 г., Санкт-Петербург, Россия : сб. трудов. – СПб. : Политехн. ун-т, 2006. – С. 162.

20. ІЧ-фотолюмінесценція та спектр збудження в склоподібних сплавах системи Er2Se3-Ga2Se3-GeSe2 / В. В. Галян, Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, А. Г. Кевшин, Ю. Когут // III Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-3, 17-22 черв. 2007 р., м. Одеса, Україна : тези доп. – О. : Астропринт, 2007. – С. 91.

21. Особливості оптичного поглинання та фотолюмінісценції в склоподібних сплавах системи Er2Se3-Ga2Se3-GeSe2 / В. В. Галян, Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, А. Г. Кевшин, Ю. Когут // Фізичні явища в твердих тілах : матеріали 8-ої Міжн. конф., 11-13 груд. 2007 р., м. Харків, Україна. – X. : Харків. нац. ун-т ім. В. Н. Каразіна, 2007. – С. 120.

22. Кевшин А. Г. Вплив нейтронної радіації на електричні і фотоелектричні параметри монокристалів сульфіду кадмію / А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, В. В. Галян // Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали РНАОПМ′2008 : матеріали 4-ої Міжнар. наук. конф., 1-5 трав. 2008 р., м. Луцьк – Шацькі озера, Україна. – Луцьк : РВВ „Вежа” Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки, 2008. – С. 109–111.

23. Оптическое поглощение и фотолюминисценция стеклообразных сплавов системы Er2Se3-Ga2Se3-GeSe2 / В. В. Галян, Г. Е. Давидюк, О. В. Парасюк, А. Г. Кевшин, Ю. Когут // Аморфные и микрокристаллические полупроводники : VI Междунар. конф., 7-9 июля 2008 г., Санкт-Петербург, Россия : сб. трудов. – СПб. : Политехн. ун-т., 2008. – С. 221.

24. Кевшин А. Г. Особливості центрів люмінесценції в склоподібних сплавах Er2Se3-Ga2Se3-GeSe2 / А. Г. Кевшин, В. В. Галян // Волинь очима молодих науковців: минуле, сучасне, майбутнє : матеріли ІІ Міжнар. наук.-практ. конф. аспірантів і студентів, 16-17 квіт. 2008 р., м. Луцьк, Україна. – РВВ „Вежа” Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки, 2008. – Т. 2. – С. 77.

25. Особливості впливу нейтронної радіації на електричні, оптичні і фотоелектричні параметри спеціально нелегованих монокристалів сульфіду кадмію / А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, В. В. Галян, В. С. Манжара, В. Кажукаускас // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : VI Міжнар. шк.-конф., 23-26 верес., 2008 р., м. Дрогобич, Україна : тези доп. – Дрогобич : Дрогобиц. держ. пед. ун-т ім. Івана Франка, 2008. – С. 170–171.


26. Порівняння люмінесцентних властивостей сульфідних та селенідних склоподібних сплавів активованих ербієм / В. В. Галян, Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, А. Г. Кевшин, Ю. Когут // Фізика невпорядкованих систем : матеріали IV Міжнар. наук. конф., 14-16 жовт. 2008 р., м. Львів, Україна. – Львів : Львів. нац. ун-т ім. І. Франка, 2008. – С. 117–118.

27. Особливості фотолюмінесценції іонів Er3+ в склоподібних сплавах AgGaS2-GeS2 / Г. Є. Давидюк, В. В. Галян, О. В. Парасюк, А. Г. Кевшин, М. В. Шевчук // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XII Міжнар. конф. МКФТТП-ХII, 18-23 трав. 2009 р, м. Івано-Франківськ, Україна. – Івано-Франківськ : „Плай” ЦІТ Прикарпат. нац. ун-ту. ім. В. Стефаника, 2009. – Т. 2. – С. 158–159.

28. Photoluminescence in Er-doped AgGaS2–GeS2 glasses / V. V. Halyan, A. H. Kevshyn, Yu. M. Kogut, G. Ye. Davydyuk, M. V. Shevchuk, V. Kažukauskas, A. Ziminskij // 15th Semiconduction and Insulating Materials Conference, 15-19 June 2009, c. Vilnius, Lithuania : programme and abstracts. – Vilnius : Universitas Vilnensis, 2009. – P. 103.

29. Influence of Er content on width of the photoluminescence band in Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3 glasses / A. H. Kevshyn, V. V. Halyan, G. Ye. Davydyuk, M. V. Shevchuk, S. V. Voronyuk // Комп’ютери в електроніці: наукові дослідження та навчальний процес : I-ша Всеукр. наук.-практ. конф., 17-20 верес. 2009 р., м. Львів – Чинадієво, Україна : програма і зб. тез. – Львів : Львів. нац. ун-т ім. І. Франка, 2009. – С. 111–112.

30. Вплив довжини хвилі і потужності збудження на спектри люмінесценції сплавів системи Ag0,05Ga0,05Ge0,95S2-Er2S3 / В. В. Галян, А. Г. Кевшин, Г. Є. Давидюк, М. В. Шевчук, С. В. Воронюк // Релаксаційні, нелінійні й акустооптичні процеси та матеріали РНАОПМ′2010 : матеріали V Міжнар. наук. конф., 1-5 черв. 2010 р., м. Луцьк – Шацькі озера, Україна. – Луцьк : Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки, 2010. – С. 89–90.

31. Кевшин А. Г. Антистоксівська люмінесценція в Er вмісних халькогенідних стеклах Ag0.05Ga0.05Ge0.95S2–Er2S3 / А. Г. Кевшин // Фізика і хімія твердого тіла. Стан, досягнення і перспективи : Всеукр. конф. молодих вчених, 20-21 жовт. 2010 р., м. Луцьк, Україна : тези доп. – Луцьк : Луцьк. нац. техн. ун-т, 2010. – С. 66–68.



Автор:
КЕВШИН Андрій Григорович




Поділіться з Вашими друзьями:


База даних захищена авторським правом ©wishenko.org 2017
звернутися до адміністрації

    Головна сторінка